Компания Samsung объявила о начале поставок в июне следующего поколения так называемой PRAM-памяти. В настоящее время технология представлена в виде чипов емкостью 512 Мб.
Технология PRAM (Phase-change Random Access Memory, память на основе фазового перехода) объединяет в себе преимущества флеш-памяти NAND и NOR. К примеру, она сочетает высокоскоростной произвольный доступ, характерный для NOR-памяти, с долговечностью хранения данных в NAND-чипах. Таким образом, PRAM-память может использоваться в устройствах накопления и хранения информации. По прогнозам специалистов Samsung, чипы PRAM-памяти смогут работать до тридцати раз быстрее комбинации обычной оперативной памяти RAM и памяти для долговременного хранения данных.
Технология PRAM разработана на основе свойств халькогенидного стекла, которое может быстро переходить из кристаллической в аморфную форму и обратно. Это позволяет PRAM-памяти оперировать с высокой скоростью и в то же время сохранять текущее состояние ячеек памяти при выключении системы.
Компания Samsung пока не называет возможных потребителей своей PRAM-памяти. Не упоминается также, в каких именно продуктах может найти применение данная технология. Однако потенциально она может с успехом использоваться, к примеру, в мобильных устройствах. Таким образом, исключается необходимость наличия в них одновременно и системной памяти RAM, и долговременной памяти.